maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / NTGD4167CT1G
Référence fabricant | NTGD4167CT1G |
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Numéro de pièce future | FT-NTGD4167CT1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NTGD4167CT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.6A, 1.9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 295pF @ 15V |
Puissance - Max | 900mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Package d'appareils du fournisseur | 6-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTGD4167CT1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NTGD4167CT1G-FT |
NVMFD5C466NLWFT1G
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NVMFD5877NLT1G
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