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ON Semiconductor NVMFD5C650NLT1G
- Numéro de pièce MFG
- NVMFD5C650NLT1G
- quantité disponible
- 38110 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.908512
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- ON Semiconductor
- Brève description
- Automotive, AEC-Q101 MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Matrices
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- NVMFD5C650NLT1G.pdf
NVMFD5C650NLT1G Caractéristiques
| Référence fabricant | NVMFD5C650NLT1G |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-NVMFD5C650NLT1G |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | Automotive, AEC-Q101 |
| NVMFD5C650NLT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caractéristique FET | Standard |
| Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 21A (Ta), 111A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 98µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2546pF @ 25V |
| Puissance - Max | 3.5W (Ta), 125W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
| Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NVMFD5C650NLT1G Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | NVMFD5C650NLT1G-FT |
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