maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / NVMD6N04R2G
Référence fabricant | NVMD6N04R2G |
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Numéro de pièce future | FT-NVMD6N04R2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NVMD6N04R2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 5.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 32V |
Puissance - Max | 1.29W |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMD6N04R2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NVMD6N04R2G-FT |
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