maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / FC6946010R
Référence fabricant | FC6946010R |
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Numéro de pièce future | FT-FC6946010R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FC6946010R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 10mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 12pF @ 3V |
Puissance - Max | 125mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | SSMini6-F3-B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FC6946010R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FC6946010R-FT |
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