maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / TT8K11TCR
Référence fabricant | TT8K11TCR |
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Numéro de pièce future | FT-TT8K11TCR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TT8K11TCR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate, 4V Drive |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 71 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1A |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 10V |
Puissance - Max | 1W |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SMD, Flat Lead |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TSST |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TT8K11TCR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TT8K11TCR-FT |
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Xilinx Inc.
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