maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / CSD87313DMST
Référence fabricant | CSD87313DMST |
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Numéro de pièce future | FT-CSD87313DMST |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NexFET™ |
CSD87313DMST Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4290pF @ 15V |
Puissance - Max | 2.7W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerWDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 8-WSON (3.3x3.3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD87313DMST Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CSD87313DMST-FT |
SSM6N44FE,LM
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SSM6L36FE,LM
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XC7A50T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
LFE2-12E-7Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
APA750-PQG208
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10AX022E4F27I3SG
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5SGXEABK3H40C4N
Intel
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
10AX090H1F34E1SG
Intel
EPF10K130EBC356-1X
Intel
EP4SGX290FF35I4
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