maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / MCMNP517-TP
Référence fabricant | MCMNP517-TP |
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Numéro de pièce future | FT-MCMNP517-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MCMNP517-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
Drain à la tension source (Vdss) | 12V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6A, 4.1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 10V |
Puissance - Max | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-VDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | DFN2020-6U |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MCMNP517-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MCMNP517-TP-FT |
MCH6601-TL-E
ON Semiconductor
MCH6602-TL-E
ON Semiconductor
MCH6603-TL-H
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MCH6663-TL-H
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EFC4627R-TR
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Xilinx Inc.
LFE2-20SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation