maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / FDMB3800N
Référence fabricant | FDMB3800N |
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Numéro de pièce future | FT-FDMB3800N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDMB3800N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 4.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 465pF @ 15V |
Puissance - Max | 750mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerWDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 8-MLP, MicroFET (3x1.9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMB3800N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDMB3800N-FT |
IRF8513PBF
Infineon Technologies
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XC2VP7-6FG456C
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EP20K200EFC484-2
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EP20K200FI484-2V
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EP4SGX230KF40I3N
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XA7A100T-2CSG324I
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation