maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / FDJ1032C
Référence fabricant | FDJ1032C |
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Numéro de pièce future | FT-FDJ1032C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDJ1032C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.2A, 2.8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 10V |
Puissance - Max | 900mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC75-6 FLMP |
Package d'appareils du fournisseur | SC75-6 FLMP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDJ1032C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDJ1032C-FT |
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XC6SLX150T-N3FG900C
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EP1M350F780I6N
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Xilinx Inc.
M2GL090-FGG676
Microsemi Corporation
EP1C20F400C8N
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