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FQPF6N80C Image

ON Semiconductor FQPF6N80C

Numéro de pièce MFG
FQPF6N80C
quantité disponible
22370 Pièces
Prix de référence
USD 1.84
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
ON Semiconductor
Brève description
QFET® MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FQPF6N80C.pdf
FQPF6N80C Image

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FQPF6N80C Caractéristiques

Référence fabricant FQPF6N80C
Numéro de pièce future FT-FQPF6N80C
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries QFET®
FQPF6N80C Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 5.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1310pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 51W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220F
Paquet / caisse TO-220-3 Full Pack
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQPF6N80C Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FQPF6N80C-FT

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