maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FCH47N60
Référence fabricant | FCH47N60 |
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Numéro de pièce future | FT-FCH47N60 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SuperFET™ |
FCH47N60 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 47A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 23.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8000pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 417W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCH47N60 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FCH47N60-FT |
GP1M009A050FSH
Global Power Technologies Group
GP1M009A060FH
Global Power Technologies Group
GP1M009A070F
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GP1M009A090FH
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GP1M010A060FH
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GP1M010A080FH
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GP1M011A050FH
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GP1M011A050FSH
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GP1M012A060FH
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GP1M013A050FH
Global Power Technologies Group
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
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A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
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XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
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M1A3P1000L-FGG144
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ICE40UL1K-CM36AITR1K
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EP4SGX230HF35C2
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