maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FCH20N60
Référence fabricant | FCH20N60 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FCH20N60 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SuperFET™ |
FCH20N60 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 20A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3080pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 208W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCH20N60 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FCH20N60-FT |
GP1M008A080FH
Global Power Technologies Group
GP1M009A020FG
Global Power Technologies Group
GP1M009A050FSH
Global Power Technologies Group
GP1M009A060FH
Global Power Technologies Group
GP1M009A070F
Global Power Technologies Group
GP1M009A090FH
Global Power Technologies Group
GP1M010A060FH
Global Power Technologies Group
GP1M010A080FH
Global Power Technologies Group
GP1M011A050FH
Global Power Technologies Group
GP1M011A050FSH
Global Power Technologies Group
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.