maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / GP1M009A020FG
Référence fabricant | GP1M009A020FG |
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Numéro de pièce future | FT-GP1M009A020FG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GP1M009A020FG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 9A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 414pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 17.3W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP1M009A020FG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GP1M009A020FG-FT |
IRFU3607TRL701P
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IRFU3704
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XC3S1600E-5FGG320C
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XC3S250E-4VQ100I
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EP4CGX50CF23C7
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5SGXEB6R3F43C2LN
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