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Référence fabricant | IRFU3707 |
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Numéro de pièce future | FT-IRFU3707 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRFU3707 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 61A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1990pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 87W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | IPAK (TO-251) |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFU3707 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFU3707-FT |
BSC010N04LSIATMA1
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IPN70R600P7SATMA1
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XC3S50A-4TQ144I
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M1A3P400-FGG256
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M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
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10M40SAE144I7G
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5SGXEBBR1H43C2LN
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LCMXO2-7000HE-4FG484C
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5CGXFC9C6F23I7N
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EP20K200CB356C9
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EPF8820AQC208-4AA
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