maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDH038AN08A1
Référence fabricant | FDH038AN08A1 |
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Numéro de pièce future | FT-FDH038AN08A1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDH038AN08A1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 75V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 22A (Ta), 80A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8665pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 450W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDH038AN08A1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDH038AN08A1-FT |
GP1M006A070FH
Global Power Technologies Group
GP1M007A090FH
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GP1M008A025FG
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GP1M008A050FG
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GP1M008A080FH
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GP1M009A020FG
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GP1M009A050FSH
Global Power Technologies Group
GP1M009A060FH
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GP1M009A070F
Global Power Technologies Group
GP1M009A090FH
Global Power Technologies Group
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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