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ON Semiconductor FQE10N20CTU

Name: FQE10N20CTU
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQE10N20CTU
Availability: InStock
Rating: 4.7 (244 reviews)

Numéro de pièce MFG: FQE10N20CTU

quantité disponible: 29910 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: QFET® MOSFET N-CH 200V 4A TO-126

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FQE10N20CTU.pdf

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FQE10N20CTU Caractéristiques

Référence fabricant	FQE10N20CTU
Numéro de pièce future	FT-FQE10N20CTU
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	QFET®
FQE10N20CTU Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	510pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	12.8W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-126-3
Paquet / caisse	TO-225AA, TO-126-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQE10N20CTU Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FQE10N20CTU-FT

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