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GeneSiC Semiconductor 2N7635-GA

Name: 2N7635-GA
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 2N7635-GA
Availability: InStock
Rating: 5.0 (306 reviews)

Numéro de pièce MFG: 2N7635-GA

quantité disponible: 28360 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: GeneSiC Semiconductor

Brève description: - TRANS SJT 650V 4A TO-257

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: 2N7635-GA.pdf

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2N7635-GA Caractéristiques

Référence fabricant	2N7635-GA
Numéro de pièce future	FT-2N7635-GA
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
2N7635-GA Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	-
La technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4A (Tc) (165°C)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	415 mOhm @ 4A
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	324pF @ 35V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	47W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 225°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-257
Paquet / caisse	TO-257-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2N7635-GA Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	2N7635-GA-FT

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