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GeneSiC Semiconductor 2N7635-GA

Numéro de pièce MFG
2N7635-GA
quantité disponible
28360 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
GeneSiC Semiconductor
Brève description
- TRANS SJT 650V 4A TO-257
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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2N7635-GA Caractéristiques

Référence fabricant 2N7635-GA
Numéro de pièce future FT-2N7635-GA
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
2N7635-GA Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET -
La technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension source (Vdss) 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc) (165°C)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 415 mOhm @ 4A
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 324pF @ 35V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 47W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 225°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-257
Paquet / caisse TO-257-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2N7635-GA Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange 2N7635-GA-FT

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