maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPZA60R060P7XKSA1
Référence fabricant | IPZA60R060P7XKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPZA60R060P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ P7 |
IPZA60R060P7XKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 48A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 15.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 800µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2895pF @ 400V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 164W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO247-4 |
Paquet / caisse | TO-247-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPZA60R060P7XKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPZA60R060P7XKSA1-FT |
IPI80N03S4L03AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N03S4L04AKSA1
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IPI80N04S4L04AKSA1
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XC2VP4-6FGG256C
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EP1K100QC208-3N
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