maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / 2N7637-GA
Référence fabricant | 2N7637-GA |
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Numéro de pièce future | FT-2N7637-GA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
2N7637-GA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | - |
La technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7A (Tc) (165°C) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 7A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 35V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 80W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 225°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-257 |
Paquet / caisse | TO-257-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N7637-GA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N7637-GA-FT |
IPT111N20NFDATMA1
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