maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPZ60R040C7XKSA1
Référence fabricant | IPZ60R040C7XKSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPZ60R040C7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ C7 |
IPZ60R040C7XKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 50A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 24.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1.24mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 107nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4340pF @ 400V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 227W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO247-4 |
Paquet / caisse | TO-247-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPZ60R040C7XKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPZ60R040C7XKSA1-FT |
IPI80N04S2H4AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N04S303AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N04S304AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N04S306AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N04S3H4AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N04S404AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N04S4L04AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S207AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S208AKSA1
Infineon Technologies
IPI80N06S2L05AKSA1
Infineon Technologies
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel