maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPI80N06S2L05AKSA1
Référence fabricant | IPI80N06S2L05AKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPI80N06S2L05AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPI80N06S2L05AKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 55V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 80A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5700pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO262-3 |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI80N06S2L05AKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPI80N06S2L05AKSA1-FT |
IPI06CN10N G
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XC2V250-5FG256I
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A3P1000-FGG484T
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XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
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5SGXMA3H1F35C2LN
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