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Référence fabricant | IPI076N12N3GAKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPI076N12N3GAKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPI076N12N3GAKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 120V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.6 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 130µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 101nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6640pF @ 60V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 188W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO262-3 |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI076N12N3GAKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPI076N12N3GAKSA1-FT |
IPW65R110CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R190C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R190CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R190E6FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R280C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R280E6FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R310CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R420CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R660CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel