maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPW65R110CFDFKSA1
Référence fabricant | IPW65R110CFDFKSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPW65R110CFDFKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
IPW65R110CFDFKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 31.2A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 12.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.3mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 118nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3240pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 277.8W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO247-3 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW65R110CFDFKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPW65R110CFDFKSA1-FT |
IPP80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP80R1K2P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R600P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R360P7XKSA1
Infineon Technologies
IPD80R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel