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Référence fabricant | IPI09N03LA |
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Numéro de pièce future | FT-IPI09N03LA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPI09N03LA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 50A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.2 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1642pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 63W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO262-3 |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI09N03LA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPI09N03LA-FT |
IPW65R190E6FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R280C6FKSA1
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IPW65R280E6FKSA1
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Xilinx Inc.
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10AX066N4F40I3LG
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