maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FQNL2N50BTA
Référence fabricant | FQNL2N50BTA |
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Numéro de pièce future | FT-FQNL2N50BTA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQNL2N50BTA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 350mA (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3 Ohm @ 175mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.5W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQNL2N50BTA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQNL2N50BTA-FT |
IPZA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
IPZA60R099P7XKSA1
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IPZA60R180P7XKSA1
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IPZ60R099C7XKSA1
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IPZ60R040C7XKSA1
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IPZ60R041P6FKSA1
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IPZ60R060C7XKSA1
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XC3S200-4FTG256I
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XC4020XL-1PQ208C
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M1AFS250-FG256
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10M40DCF256C7G
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5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
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A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
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