maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FF600R12ME4CB11BOSA1
Référence fabricant | FF600R12ME4CB11BOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FF600R12ME4CB11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FF600R12ME4CB11BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | 2 Independent |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1060A |
Puissance - Max | 4050W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 600A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 3mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 37nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF600R12ME4CB11BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FF600R12ME4CB11BOSA1-FT |
FD800R33KF2CNOSA1
Infineon Technologies
FD800R33KL2CKB5NOSA1
Infineon Technologies
FD800R45KL3KB5NPSA1
Infineon Technologies
FF1000R17IE4BOSA1
Infineon Technologies
FF100R12KS4HOSA1
Infineon Technologies
FF1200R12IE5PBPSA1
Infineon Technologies
FF1200R17IP5BPSA1
Infineon Technologies
FF1200R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies
FF1200R17KP4B2NOSA2
Infineon Technologies
FF1400R12IP4BOSA1
Infineon Technologies
XC6SLX100-N3CSG484I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-7Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FG256I
Microsemi Corporation
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300E-5UWG81ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2DQI
Microchip Technology
5SGXMABN3F45C3N
Intel
LFE2M35SE-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-640E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4N
Intel