maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FF1200R12IE5PBPSA1
Référence fabricant | FF1200R12IE5PBPSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FF1200R12IE5PBPSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PrimePack™2 |
FF1200R12IE5PBPSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 2400A |
Puissance - Max | 20mW |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 1200A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 65.5nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF1200R12IE5PBPSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FF1200R12IE5PBPSA1-FT |
DDB2U50N08W1RB23BOMA2
Infineon Technologies
DDB6U100N16RRBOSA1
Infineon Technologies
DDB6U180N16RR
Infineon Technologies
DDB6U30N08VRBOMA1
Infineon Technologies
DDB6U75N16W1RB11BOMA1
Infineon Technologies
DDB6U75N16W1RBOMA1
Infineon Technologies
DF1000R17IE4BOSA1
Infineon Technologies
DF1000R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies
DF100R07W1H5FPB53BPSA2
Infineon Technologies
DF100R07W1H5FPB54BPSA2
Infineon Technologies
A1425A-1PQG100I
Microsemi Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P125-PQG208I
Microsemi Corporation
MPF500T-FCG1152E
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
EP4SGX290NF45I3N
Intel
XC7K70T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS150F780C7N
Intel