maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / DDB2U50N08W1RB23BOMA2
Référence fabricant | DDB2U50N08W1RB23BOMA2 |
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Numéro de pièce future | FT-DDB2U50N08W1RB23BOMA2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DDB2U50N08W1RB23BOMA2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | 2 Independent |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | - |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Puissance - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDB2U50N08W1RB23BOMA2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DDB2U50N08W1RB23BOMA2-FT |
CM200DU-12H
Powerex Inc.
CM200DU-24H
Powerex Inc.
CM200DU-24NFH
Powerex Inc.
CM200DY-24H
Powerex Inc.
CM200DY-28H
Powerex Inc.
CM200DY-34A
Powerex Inc.
CM200E3U-12H
Powerex Inc.
CM200HA-24H
Powerex Inc.
CM200RL-12NF
Powerex Inc.
CM200RX-12A
Powerex Inc.
A3P030-QNG68
Microsemi Corporation
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S500E-4FG320I
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Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FG256
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M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
5SEE9F45I3N
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LAE3-35EA-6LFN672E
Lattice Semiconductor Corporation