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Référence fabricant | DF1000R17IE4DB2BOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-DF1000R17IE4DB2BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DF1000R17IE4DB2BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | Single |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Puissance - Max | 6250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 1000A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 81nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF1000R17IE4DB2BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DF1000R17IE4DB2BOSA1-FT |
CM200HA-24H
Powerex Inc.
CM200RL-12NF
Powerex Inc.
CM200RX-12A
Powerex Inc.
CM200TU-12F
Powerex Inc.
CM200TU-12H
Powerex Inc.
CM20TF-12H
Powerex Inc.
CM20TF-24H
Powerex Inc.
CM225DX-24T
Powerex Inc.
CM300DU-12F
Powerex Inc.
CM300DU-12H
Powerex Inc.
XC4005E-4PQ100C
Xilinx Inc.
XC7A15T-3CSG325E
Xilinx Inc.
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
M1A3P400-PQ208
Microsemi Corporation
EP4S40G2F40I3
Intel
EP4SGX530NF45I4N
Intel
5SGXEABK2H40I3LN
Intel
XA7A15T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780I4L
Intel