maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FF1200R17KP4B2NOSA2
Référence fabricant | FF1200R17KP4B2NOSA2 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FF1200R17KP4B2NOSA2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
FF1200R17KP4B2NOSA2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | - |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Puissance - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | - |
Contribution | - |
Thermistance NTC | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF1200R17KP4B2NOSA2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FF1200R17KP4B2NOSA2-FT |
DDB6U30N08VRBOMA1
Infineon Technologies
DDB6U75N16W1RB11BOMA1
Infineon Technologies
DDB6U75N16W1RBOMA1
Infineon Technologies
DF1000R17IE4BOSA1
Infineon Technologies
DF1000R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies
DF100R07W1H5FPB53BPSA2
Infineon Technologies
DF100R07W1H5FPB54BPSA2
Infineon Technologies
DF120R12W2H3B27BOMA1
Infineon Technologies
DF150R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
DF160R12W2H3FB11BPSA1
Infineon Technologies
XCKU11P-1FFVE1517I
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FG456I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZQNG48I
Microsemi Corporation
APA750-BGG456I
Microsemi Corporation
XC6VLX240T-2FF1759C
Xilinx Inc.
XC6VLX365T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM49TR
Lattice Semiconductor Corporation