maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FF100R12KS4HOSA1
Référence fabricant | FF100R12KS4HOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FF100R12KS4HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FF100R12KS4HOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | 2 Independent |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 150A |
Puissance - Max | 780W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 100A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 650nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF100R12KS4HOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FF100R12KS4HOSA1-FT |
DDB2U30N08VRBOMA1
Infineon Technologies
DDB2U50N08W1RB23BOMA2
Infineon Technologies
DDB6U100N16RRBOSA1
Infineon Technologies
DDB6U180N16RR
Infineon Technologies
DDB6U30N08VRBOMA1
Infineon Technologies
DDB6U75N16W1RB11BOMA1
Infineon Technologies
DDB6U75N16W1RBOMA1
Infineon Technologies
DF1000R17IE4BOSA1
Infineon Technologies
DF1000R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies
DF100R07W1H5FPB53BPSA2
Infineon Technologies
A3P125-TQG144
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z2VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K1F40C2LN
Intel
5SGXMA4K3F40C2N
Intel
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30ABC356-4
Intel
EPF10K20RC208-4N
Intel