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Référence fabricant | FF600R12ME4B72BOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-FF600R12ME4B72BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FF600R12ME4B72BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1200A |
Puissance - Max | 20mW |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 600A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 3mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 37nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF600R12ME4B72BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FF600R12ME4B72BOSA1-FT |
FD800R33KF2CKNOSA1
Infineon Technologies
FD800R33KF2CNOSA1
Infineon Technologies
FD800R33KL2CKB5NOSA1
Infineon Technologies
FD800R45KL3KB5NPSA1
Infineon Technologies
FF1000R17IE4BOSA1
Infineon Technologies
FF100R12KS4HOSA1
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FF1200R12IE5PBPSA1
Infineon Technologies
FF1200R17IP5BPSA1
Infineon Technologies
FF1200R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies
FF1200R17KP4B2NOSA2
Infineon Technologies
XC6SLX9-N3FT256C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL340F1517I4LN
Intel
XC7VX690T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
LAE3-17EA-6LMG328E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2LG
Intel
5AGXMA3D4F31C4N
Intel
EP4SGX70DF29I3N
Intel