maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDZ206P
Référence fabricant | FDZ206P |
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Numéro de pièce future | FT-FDZ206P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDZ206P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 13A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 13A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4280pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.2W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 30-BGA (4x3.5) |
Paquet / caisse | 30-WFBGA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDZ206P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDZ206P-FT |
CTLDM8002A-M621H BK
Central Semiconductor Corp
CTLDM8002A-M621H TR
Central Semiconductor Corp
CTLDM8120-M621H BK
Central Semiconductor Corp
CTLDM8120-M621H TR
Central Semiconductor Corp
DMG10N60SCT
Diodes Incorporated
DMG3N60SJ3
Diodes Incorporated
DMG6968LSD-13
Diodes Incorporated
DMG7N65SCT
Diodes Incorporated
DMG7N65SCTI
Diodes Incorporated
DMG7N65SJ3
Diodes Incorporated
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel