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ON Semiconductor FDP047AN08A0-F102

Numéro de pièce MFG
FDP047AN08A0-F102
quantité disponible
21500 Pièces
Prix de référence
USD 1.866608
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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FDP047AN08A0-F102 Caractéristiques

Référence fabricant FDP047AN08A0-F102
Numéro de pièce future FT-FDP047AN08A0-F102
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
FDP047AN08A0-F102 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Not For New Designs
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 75V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C -
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 310W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220-3
Paquet / caisse TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDP047AN08A0-F102 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDP047AN08A0-F102-FT

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