maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDMS86255
Référence fabricant | FDMS86255 |
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Numéro de pièce future | FT-FDMS86255 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDMS86255 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 150V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10A (Ta), 45A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4480pF @ 75V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.7W (Ta), 113W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | Power56 |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMS86255 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDMS86255-FT |
FDI9409-F085
ON Semiconductor
FQI10N20CTU
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FQI10N60CTU
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FQI11P06TU
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FQI12N50TU
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FQI12N60CTU
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FQI13N06LTU
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