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Référence fabricant | FQI13N06LTU |
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Numéro de pièce future | FT-FQI13N06LTU |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | QFET® |
FQI13N06LTU Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 13.6A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 6.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.75W (Ta), 45W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | I2PAK (TO-262) |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQI13N06LTU Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FQI13N06LTU-FT |
BSS192PL6327HTSA1
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BSS225
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BSS225H6327XTSA1
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BSS87L6327HTSA1
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IRF7480MTRPBF
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EP20K600EBC652-1X
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