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Infineon Technologies BSS225

Numéro de pièce MFG
BSS225
quantité disponible
75020 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Infineon Technologies
Brève description
SIPMOS® MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
BSS225.pdf
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BSS225 Caractéristiques

Référence fabricant BSS225
Numéro de pièce future FT-BSS225
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries SIPMOS®
BSS225 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 90mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 Ohm @ 90mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 94µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.8nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 131pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PG-SOT89
Paquet / caisse TO-243AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSS225 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange BSS225-FT

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