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Infineon Technologies BSS192PL6327HTSA1

Numéro de pièce MFG
BSS192PL6327HTSA1
quantité disponible
16940 Pièces
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
SIPMOS® MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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BSS192PL6327HTSA1 Caractéristiques

Référence fabricant BSS192PL6327HTSA1
Numéro de pièce future FT-BSS192PL6327HTSA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries SIPMOS®
BSS192PL6327HTSA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 190mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 130µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 104pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PG-SOT89
Paquet / caisse TO-243AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSS192PL6327HTSA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange BSS192PL6327HTSA1-FT

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