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ON Semiconductor FQI12N60TU
- Numéro de pièce MFG
- FQI12N60TU
- quantité disponible
- 23370 Pièces
- Prix de référence
- USD 0
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- ON Semiconductor
- Brève description
- QFET® MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- FQI12N60TU.pdf
FQI12N60TU Caractéristiques
| Référence fabricant | FQI12N60TU |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-FQI12N60TU |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | QFET® |
| FQI12N60TU Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Obsolete |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10.5A (Tc) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 5.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 25V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 3.13W (Ta), 180W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package d'appareils du fournisseur | I2PAK (TO-262) |
| Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FQI12N60TU Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | FQI12N60TU-FT |
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