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ON Semiconductor FQI12N60TU

Numéro de pièce MFG
FQI12N60TU
quantité disponible
23370 Pièces
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USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
QFET® MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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FQI12N60TU Caractéristiques

Référence fabricant FQI12N60TU
Numéro de pièce future FT-FQI12N60TU
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries QFET®
FQI12N60TU Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 10.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur I2PAK (TO-262)
Paquet / caisse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQI12N60TU Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FQI12N60TU-FT

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