maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDZ294N
Référence fabricant | FDZ294N |
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Numéro de pièce future | FT-FDZ294N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDZ294N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.7W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 9-BGA (1.5x1.6) |
Paquet / caisse | 9-VFBGA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDZ294N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDZ294N-FT |
FQI13N50CTU
ON Semiconductor
FDI150N10
ON Semiconductor
FCI25N60N-F102
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FQI12N60TU
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XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
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M2GL090-FGG484
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EP3SL200F1517C2N
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5SGXMA3K2F35I3N
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Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
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