maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDMC86106LZ
Référence fabricant | FDMC86106LZ |
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Numéro de pièce future | FT-FDMC86106LZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDMC86106LZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.3A (Ta), 7.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 103 mOhm @ 3.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.3W (Ta), 19W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-MLP (3.3x3.3) |
Paquet / caisse | 8-PowerWDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMC86106LZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDMC86106LZ-FT |
FQI5N60CTU
ON Semiconductor
FQI7N60TU
ON Semiconductor
FQI7N80TU
ON Semiconductor
FQI13N50CTU
ON Semiconductor
FDI150N10
ON Semiconductor
FCI25N60N-F102
ON Semiconductor
FDI9409-F085
ON Semiconductor
FQI10N20CTU
ON Semiconductor
FQI10N60CTU
ON Semiconductor
FQI11P06TU
ON Semiconductor
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel