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FDG6335N Image

ON Semiconductor FDG6335N

Numéro de pièce MFG
FDG6335N
quantité disponible
39490 Pièces
Prix de référence
USD 0.194464
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
PowerTrench® MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FDG6335N.pdf
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FDG6335N Caractéristiques

Référence fabricant FDG6335N
Numéro de pièce future FT-FDG6335N
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries PowerTrench®
FDG6335N Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 700mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 113pF @ 10V
Puissance - Max 300mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur SC-88 (SC-70-6)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDG6335N Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDG6335N-FT

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