maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / FDG6304P
Référence fabricant | FDG6304P |
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Numéro de pièce future | FT-FDG6304P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FDG6304P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 410mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 62pF @ 10V |
Puissance - Max | 300mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-88 (SC-70-6) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDG6304P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDG6304P-FT |
DMC25D0UVT-7
Diodes Incorporated
SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
DMC25D0UVT-13
Diodes Incorporated
DMC2038LVTQ-7
Diodes Incorporated
IRF5810
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IRF5810TR
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
IRF5850TR
Infineon Technologies
IRF5850TRPBF
Infineon Technologies
LFE2-20E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
AGL400V5-FG256
Microsemi Corporation
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XC4020E-2HQ208I
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LCMXO2-4000ZE-3BG332C
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EP1S40F1508C7N
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EP3SL150F780I3
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