maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FD16001200R17HP4B2BOSA2
Référence fabricant | FD16001200R17HP4B2BOSA2 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FD16001200R17HP4B2BOSA2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FD16001200R17HP4B2BOSA2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | Dual Brake Chopper |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Puissance - Max | 10500W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 1600A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 130nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FD16001200R17HP4B2BOSA2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FD16001200R17HP4B2BOSA2-FT |
APTGT200DH120G
Microsemi Corporation
APTGT200DH60G
Microsemi Corporation
APTGT200H120G
Microsemi Corporation
APTGT200H60G
Microsemi Corporation
APTGT200SK120G
Microsemi Corporation
APTGT200SK60T3AG
Microsemi Corporation
APTGT20H60T1G
Microsemi Corporation
APTGT20TL601G
Microsemi Corporation
APTGT225A170G
Microsemi Corporation
APTGT225DA170G
Microsemi Corporation