maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / APTGT225A170G
Référence fabricant | APTGT225A170G |
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Numéro de pièce future | FT-APTGT225A170G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTGT225A170G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 340A |
Puissance - Max | 1250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 225A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 20nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SP6 |
Package d'appareils du fournisseur | SP6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT225A170G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTGT225A170G-FT |
VS-GB150LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB300AH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB300LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB300NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-2VQG80I
Microsemi Corporation
XA2S150E-6FT256I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3C40U484I7
Intel
5SGXEA7N1F40C2
Intel
10CX220YF672E5G
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
XC2V1500-4FFG896I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U4F45I3SGE2
Intel