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Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB200TH120N

Name: VS-GB200TH120N
Brand: Vishay Semiconductor Diodes Division
SKU: VS-GB200TH120N
Price: 377.249336 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (428 reviews)

Numéro de pièce MFG: VS-GB200TH120N

quantité disponible: 96970 Pièces

Prix de référence: USD 377.249336

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fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division

Brève description: - IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - IGBT - Modules

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: VS-GB200TH120N.pdf

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VS-GB200TH120N Caractéristiques

Référence fabricant	VS-GB200TH120N
Numéro de pièce future	FT-VS-GB200TH120N
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
VS-GB200TH120N Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type IGBT	-
Configuration	Half Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	360A
Puissance - Max	1136W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.35V @ 15V, 200A
Courant - Coupure Collecteur (Max)	5mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce	14.9nF @ 25V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / caisse	Double INT-A-PAK (3 + 4)
Package d'appareils du fournisseur	Double INT-A-PAK
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VS-GB200TH120N Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	VS-GB200TH120N-FT

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