maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / APTGT20H60T1G
Référence fabricant | APTGT20H60T1G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-APTGT20H60T1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTGT20H60T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Full Bridge Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 32A |
Puissance - Max | 62W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 20A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 250µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 1.1nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SP1 |
Package d'appareils du fournisseur | SP1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT20H60T1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTGT20H60T1G-FT |
VS-GB100TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB300AH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V5-QNG68I
Microsemi Corporation
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG256I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
EP1K100FC256-3N
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
LFE2M35E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35I2N
Intel