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Référence fabricant | APTGT20H60T1G |
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Numéro de pièce future | FT-APTGT20H60T1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTGT20H60T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Full Bridge Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 32A |
Puissance - Max | 62W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 20A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 250µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 1.1nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SP1 |
Package d'appareils du fournisseur | SP1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT20H60T1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTGT20H60T1G-FT |
VS-GB100TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB150TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200LH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200NH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200TH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB200TH120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB300AH120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-3FG484C
Xilinx Inc.
AFS600-FGG484
Microsemi Corporation
M1AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
A3PN060-ZVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
XC6VHX255T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.