maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FCPF600N60Z
Référence fabricant | FCPF600N60Z |
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Numéro de pièce future | FT-FCPF600N60Z |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SuperFET® II |
FCPF600N60Z Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7.4A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1120pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 89W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCPF600N60Z Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FCPF600N60Z-FT |
GP2M008A060HG
Global Power Technologies Group
GP2M010A060H
Global Power Technologies Group
GP2M010A065H
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GP2M012A060H
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GA20JT12-263
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FCH104N60
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FCH170N60
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