maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDH3632
Référence fabricant | FDH3632 |
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Numéro de pièce future | FT-FDH3632 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDH3632 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 12A (Ta), 80A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 310W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDH3632 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDH3632-FT |
GP2M005A050PG
Global Power Technologies Group
GP2M005A060PG
Global Power Technologies Group
GP2M005A060PGH
Global Power Technologies Group
GP2M008A060PG
Global Power Technologies Group
GP2M008A060PGH
Global Power Technologies Group
GP1M009A090N
Global Power Technologies Group
GP1M010A080N
Global Power Technologies Group
GP1M016A060N
Global Power Technologies Group
GP1M020A050N
Global Power Technologies Group
GP1M020A060M
Global Power Technologies Group
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
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AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
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XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
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LFXP6C-3Q208C
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LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel