maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / GA20JT12-263
Référence fabricant | GA20JT12-263 |
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Numéro de pièce future | FT-GA20JT12-263 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GA20JT12-263 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | - |
La technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 45A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 20A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3091pF @ 800V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 282W (Tc) |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK (7-Lead) |
Paquet / caisse | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GA20JT12-263 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GA20JT12-263-FT |
GP2M004A060PG
Global Power Technologies Group
GP2M004A065PG
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GP2M005A050PG
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GP2M005A060PG
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GP2M008A060PGH
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